使用彈性金屬門（EM-gate）對超淺通道植體進行產品晶圓監控

深亞微米金屬氧化物半導體 (MOS) 場效電晶體 (MOSFET) 最關鍵的參數是閾值電壓 (VT)。 設備VT高度依賴處理；具體來說，是離子注入的通道摻雜分佈。 監測產品晶圓上的通道摻雜是非常必要的，也是製程工程師面臨的一個主要問題。 描述了一種基於無污染、無損壞、小直徑金屬接觸的技術，用於對產品晶圓上的通道載流子密度分佈、劑量和 VT 進行高靈敏度和精確測量。