歡迎洽詢產品資訊與報價
針對您的研究需求，提供專業諮詢與客製化解決方案
2000 • Gate Dielectric Integrity: Material, Process and Tool Qualification, ASTM STP 1382, Eds., American Society for Testing and Materials, 145-154
微波光電導衰減 (μ-PCD) 和表面光電壓 (SPV) 技術已被證明是鑑定半導體塊體材料的強大方法。 它們最適用於材料質量均質的標準晶圓。 然而，這兩種方法在測量外延層 (epi) 晶圓或絕緣體上矽 (SOI) 結構時都有其限制。 在其傳統實作中，SPV 測量受到主動層厚度的限制。 另一方面，在高摻雜基板上生長的外延層通常不會在 μ-PCD 測量中產生足夠高的訊號。
T. Pavelka, D.C. Gupta and G.A. Brown
See our related products to this publication:
