歡迎洽詢產品資訊與報價
針對您的研究需求，提供專業諮詢與客製化解決方案
2019 • 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT) proceedings
由於Si是間接帶隙材料，聲子輔助帶間（B2B）輻射複合（能量等於Si的能隙）產生的PL非常弱；比激發光子通量低約 10 個數量級 [1]。 如果有晶體缺陷，則在室溫下會產生額外的寬缺陷 PL 峰 (DPL)，其能量小於 Si [1]、[2]、[3] 的帶隙。 在室溫下，缺陷帶 PL 強度比 B2B 強度低幾個數量級[1]。
L. Jastrzebski, R. Duru, D. Le-Cunff, M. Cannac S. Joblot, I. Mica, M.L.Polignano, A.Galbiati, P. Monge Roffarello,G. Nadudvari, Z. Kiss, I. Lajtos, A. Pongracz, G. Molnár, M. Nagy, L. Dudás, P. Basa, B.Greenwood, J.Gambino