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2008 • International Conference on Ion Implantation Technology, 8–13 June 2008, Monterey, California
為了達到<45nm ITRS節點對P+/N接面的要求，需要超低能量和高劑量注入。 與等離子體浸沒離子注入 (PIII) 相比，經典束線注入現在僅限於低能量，其效率不再需要證明在半導體應用中實現超淺結 (USJ)：由於沒有較低的能量限制和高劑量率，該技術允許獲得最終的淺剖面（注入時）。
F. Torregrosa, H. Etienne, G. Sempere, G. Mathieu, L. Roux, V. Vervisch, P. Delaporte, T. Sarnet, A. Pap, K. Kis‐Szabó, T. Pavelka, C. Grosjean