45 nm 节点 p+ USJ 形成，具有高掺杂剂激活和低损伤

我们研究了各种 p+ 延伸注入掺杂剂种类（B、BF₂、B₁₀H₁₄ 和 B₁₈H ₂₂）和退火技术（尖峰、闪光、激光和 SPE），以实现高掺杂剂激活、低损伤超浅层 结 (USJ) 15-20 nm 深，适用于 45 nm 节点应用。 研究了新的 USJ 计量技术，以确定：1) 表面掺杂剂激活水平和 2) 使用接触和非接触全晶圆计量方法的结质量（残留注入损伤）。 我们发现，使用分子掺杂剂种类 (B₁₀H₁₄ 和 B₁₈ H₂₂) 高温（闪光或激光）退火或低温 SPE 退火由于其宽温度范围，对于与 SiON 或高 k Hf 基电介质栅堆叠结构的 45 nm 节点工艺集成非常有前景 无扩散的掺杂剂激活范围

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