一种研究与硅片等离子加工相关的退化的新方法

基于氧化电位和表面光电压测量的新一代监测工具可对等离子体损伤（尤其是电介质电荷累积、辐射损伤和重金属污染）进行实时、非接触式诊断。 该方法依赖于可重复使用的 10 00Å 氧化物监控晶圆，而不是测试结构。 该技术可生成强大的全晶圆图，用于将等离子体损伤与等离子体设备特性相关联。

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