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2004 • SEMICON ® West, SEMI®Technical Symposium: Innovations in Semiconductor Manufacturing, Semiconductor Equipment and Materials International, ISBN # 1-892568-79-9
描述了测量 USJ 源极-漏极结构的四点探针 (4pp) 方块电阻 (R/sub S/) 的精确方法。 新方法利用弹性材料门（EM-gate）探针与硅表面形成非穿透接触。 探头设计采用运动学和力控制，以确保探头材料的弹性变形。 选择探针材料，以便大的直接隧道（DT）电流可以流过原生氧化物，从而形成低阻抗接触。 在本文中，新的 4pp 将在各种植入的 USJ 结构上进行演示。
R.J. Hillard, C. Win Ye, L. Tan, M.C. Benjamin, R.G. Mazur