外延硅掺杂浓度的气隙 CV 测量

采用非接触电容与电压方法研究了低电阻率和中电阻率的外延硅层。 0.15 Ohm cm 的低电阻率样品具有超过 3 天的长期重复性和再现性，分数标准偏差为 0.8%。 6.2 Ohm cm 的中间电阻率外延层具有长期重复性，分数标准偏差为 0.16%。 全自动 CV 工具使用距晶圆表面 0.5 µm 的电极进行测量。 颗粒检测系统可确保测量部位不存在缺陷。 这种非接触式方法在确定掺杂浓度和掺杂深度分布方面比汞-CV或四点探针等传统方法具有明显的优势。