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2007 • International Conference on Frontiers of Characterization and Metrology for Nanoelectronics, 2007
在本文中，我们展示了微电晕-开尔文计量学在监测目前用于先进栅极电介质的等离子体氮化工艺制备的氮氧化硅的电性能方面的应用。 讨论的关键测量参数有：介电电容等效厚度（CET）、价带隧道介电电压（VB）、界面俘获电荷（Qit）和平带电压。
A. Belyaev, D. Marinskiy, M. Wilson, J. D’Amico, L. Jastrzebski, J. Lagowski