射频等离子体处理硅上肖特基二极管的弹道电子发射显微镜

PtSi/n-Si(100) 二极管是通过溅射沉积 Pt 制备的，其中一些 Si 衬底事先经过了强等离子体清洗。 通过I–V测量、深能级瞬态光谱和弹道电子发射显微镜 (BEEM) 对样品进行了研究。 经过强等离子清洗后，I–V 和 BEEM 均显示，与非常温和的等离子清洗样品相比，肖特基势垒大幅降低了约 0.2 eV。 我们提出了一个 BEEM 谱模型，该模型考虑了像力校正和金属/半导体界面上的隧道效应。 这些效应的发生是由于等离子体清洗引入的施主型缺陷导致界面附近产生高电场。

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