用于高功率器件的高电阻率硅的载流子寿命控制和表征

高功率器件需要具有高电阻率的厚硅层才能实现高击穿电压。 为了优化这些器件的开启和关闭行为，需要精确调整载流子寿命，并了解其对工艺参数和操作参数（例如温度和注入水平）的依赖性。 因此，可以通过基于光电导和自由载流子吸收测量的两种不同测量技术来分析起始材料（FZ 生长的硅）以及经过过渡金属（Pt、Au、Fe）掺杂或电子或轻离子照射的加工器件的载流子寿命。