通过高能 H+、He+ 离子注入改变硅中的载流子寿命

MeV H⁺或He⁺植入CZ-Si中以设定载流子寿命，以实现功率器件的定制化。 商用微波光电导衰减（μ-PCD，Semilab, Inc.）设备旨在用于晶圆表征。 µ-PCD 数据的实际评估需要一个模型来处理探测载体口袋与所需缺陷分布不匹配的情况。 该多层模型的参数是使用 TRIM 代码从空位分布中提取的。