高能 H+ 或 He+ 离子对硅中载流子寿命的修改

H⁺ 或 He⁺ 以 1、2.5 和 4 MeV 的能量注入 n 型 <100> 4–7.5 Ω cm CZ-Si，剂量范围为 3 × 10¹⁰/cm² 至 1 × 10¹²/cm²。 使用 904 nm 激光脉冲通过微波光电导衰减 (μ-PCD) 方法测量少数载流子寿命的缩短。 结果表明，当损伤区域与激光脉冲产生的多余电荷袋完全重叠时，μ-PCD 可以直接测量修改后的寿命。 4 MeV H⁺ 植入就是这种情况。 对于较浅的缺陷，测量的寿命值受到过量少数载流子扩散过程的影响。 为了提取本例中的真实寿命，提出了一个三层模型。

‍