具有 SiO2 和 HfO2 栅极电介质的硅衬底上反转电荷载流子的非接触迁移率测量

描述了一种确定具有 SiO2 和 HfO2 栅极电介质的 Si 衬底上反转电荷载流子迁移率的方法。 它是一种结合了电晕电荷和电荷扩散计量的完全非接触式方法。 [专利申请号EP 07118673和U.S. 60940594。]结果表明，根据这种测量，可以将反转电荷载流子的迁移率计算为有效电场的函数。 由此产生的迁移率曲线与晶体管中的迁移率曲线相当。