2008 • Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2008. RTP 2008. 16 IEEE International Conference on
激光退火是超浅结 (USJ) 的理想激活步骤。 但它会增加栅极电介质的界面陷阱 (Dit) 密度,导致 NBTI 可靠性下降。 因此,用电晕电荷计量学研究了退火条件的影响。 SiO2 被用作参考栅极电介质,并制定了恢复解决方案以减少激光诱导的 Dit。 但另一方面,回收可能会导致 USJ 降解,限制回收工艺条件的选择。 尖峰退火导致的 Dit 减少可以用 SiO2 和 SiON 的应力松弛来解释。 对于 HiK 栅极电介质,由于可能的化学相互作用和结晶,行为更加复杂。 可以通过尖峰退火和多扫描激光退火来完成恢复。 后者更适合USJ房产。
J-L. Everaert, E. Rosseel, C. Ortolland, M. Aoulaiche, T. Hoffmann, T. Pavelka, E. Don
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