单轴应力下块状砷化镓深能级的 DLTS 研究

这项工作报告了 n 型块状 GaAs 中 EL2、EL3 和 EL6 能级的单轴应力 DLTS 测量。 应力平行于(111)轴。 缺陷状态 EL6 似乎不受高达 1.5 kbar 的应力的影响。 EL2 的压力系数为 1.3 meV kbar^-1。 EL3 显示低应力 (2.8 meV kbar^-1) 和高应力 (4.6 meV kbar^-1) 压力系数。 这些结果是结合先前在文献中发表的报告数据进行讨论的。 还报告了 EL3 能级发射率的反常电场依赖性。

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