单晶硅中晶体缺陷的效率限制及其在生产中的表征

使用与生产兼容的电学和光学表征技术，对整个 n 型单晶硅晶锭的晶圆和较厚切片进行了研究。 我们研究了这些技术在太阳能电池制造早期检测效率限制因素的能力。 除了标准表征方法和参数 - 载流子寿命、电阻率、FTIR、光致发光 (PL) - OxyMap 技术还用于评估晶圆的热历史，同时体微颗粒的分布 使用光散射断层扫描 (LST) 测量缺陷 (BMD)。 PERT 电池和样品具有非晶态硅表面钝化——在低温下沉积——由相邻晶圆生产以关联硅特性和太阳能电池效率结果。

在“生长”寿命和电池性能之间发现了有趣的间接相关性，因为两者都受到晶圆热历史的影响。

我们还观察到通过 LST 在生长样品上测量的 BMD 位置与 PERT 电池上的缺陷区域之间存在非常强的相关性 通过 PL 测量进行定位。 对热处理样品的 LST 测量（模拟 PERT 电池过程）显示 BMD 在低效率区域的生长。 这表明即使在使用LST技术的生长材料中也可以检测出有害缺陷。

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