硅的电化学蚀刻和分析

研究了硅在低氟化物含量（≤ 0.1 mol dm^-3）缓冲电解液中高阳极极化下的溶解行为，以确定硅结构深度剖析的合适蚀刻条件。 结果表明，通过严格选择电解质成分、pH 值和溶解电位，可以最大限度地减少硅的有效溶解价对半导体性能的依赖性。

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