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在简要描述了金属氧化物半导体 (MOS) 器件架构的演变以及对外延生长工艺的相应要求之后，该手稿描述了用于互补场效应晶体管 (CFET) 器件的复杂 Si/SiGe 多层堆叠的材料特性。 它们含有两种不同的 Ge 浓度，并使用传统工艺气体生长。 使用相对较高的生长温度以获得可接受的Si和SiGe生长速率。 当 Ge 浓度高达 40% 时，岛的生长仍然受到抑制。 将报道 Si/SiGe 多层堆叠的优异结构和光学材料特性，堆叠的顶部和底部分别具有多达 3 + 3 个 Si 通道。 晶格缺陷的存在/不存在已通过室温光致发光测量得到验证。 低温下的光致发光测量用于研究各个子层的带间发光，并说明 CFET 堆栈的光学材料质量。
Roger Loo, Anjani Akula, Yosuke Shimura, Clement Porret, Erik Rosseel, Thomas Dursap, Andriy Yakovitch Hikavyy, Matteo Beggiato, Janusz Bogdanowicz, Alex Merkulov, Mustafa Ayyad, Han Han, Olivier Richard, Andrea Impagnatiello, Dong Wang, Keisuke Yamamoto, Tamás Sipőcz, Árpád Kerekes, Hans Mertens, Naoto Horiguchi and Robert Langer