激光退火热预算对高 Ge 含量薄 SiGe 通道质量的影响

我们使用高分辨率 X 射线衍射 (HR-XRD) 和一种新的非接触计量技术来测量反转电荷的迁移率，探索了在 Ge 浓度高达 55% 的覆盖 SiGe/Si 盖层上进行亚熔激光退火的极限。 我们讨论了激光峰值温度和 SiGe/Si 叠层参数的影响。 结果表明，对于高 Ge 浓度和感兴趣的 SiGe/Si 盖厚度，需要限制标准激光退火热预算以避免过度松弛并保持迁移率增强。