2011 • ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2101: 18 International Conference on Ion Implantation Technology IIT 2010

使用光调制反射和结光电压测量技术对退火前后的超浅植入物进行植入物监测测量

Abstract

超浅结在微电子和纳米电子器件中得到广泛应用，需要新颖的测量方法来监控制造过程。退火前的光调制反射测量和退火后基于结光电压的薄层电阻测量是非接触式、非破坏性技术，适用于表征注入和退火过程。测试验证这些方法彼此一致，并且通过将它们结合使用，可以分离源自注入和退火步骤的缺陷。

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ultra-shallow junction (USJ)Photomodulated Reflection measurements

M. Tallián, A. Pap, K. Mocsár, A. Somogyi, Gy. Nádudvari, D. Kosztka, T. Pavelka