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180nm 双极-CMOS-DMOS (BCD) 技术的关键部分是使用具有高贝塔值的 PNP 双极器件。 宏观和微观光致发光成像（MacroPL、μPL）通过高强度照明激发半导体中的载流子，然后观察辐射复合产生的较长波长的光子； 使用了带间发射和缺陷带间发射。 使用显微光致发光成像可以快速表征位错和其他抑制 PNP beta 的缺陷并采取纠正措施。
B. Greenwood, J. Kimball, S. Sridaran, K. Truong, A. Lee, S. Menon, J.P. Gambino, L. Jastrzebski, G. Nadudvari, L. Roszol, M. Nagy, G. Molnar, Z. Kiss, A. Pongracz, J. Byrnes