多层结构深度剖析的改进方法

一种改进的方法已被开发出来，用于溶解含有 GaAlAs 层的半导体材料。 这种改进的方法涉及交替应用阳极和阴极工艺，以产生用于载流子浓度测量的无砷表面。

通过比较传统技术和改进技术获得的各种半导体结构的深度剖面，证明了该方法的优势特点。

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