硅中Ti双给体复合特性的研究

通过微波光电导衰减 (μ-PCD) 和表面光电压 (SPV) 寿命测量技术研究了熔融钛掺杂 Cz Si 晶片的复合性能。 结果发现，μ-PCD寿命与Si中Ti深能级参数作为双施主复合中心计算的复合寿命直接相关。