使用表面光电压和铁硼对的光解离检测硅中千亿范围内的铁

p型硅中铁硼对的光解会产生寿命终止的间隙铁，并且可以与少数载流子扩散长度的非接触表面光电压（SPV）测量相结合，以实现铁的快速检测。 我们发现，对于铁浓度范围为 8×10⁸ 至 1×10¹³ 原子/cm³ 的情况，使用白光 (10 W/cm²) 的电对解离可在 15 秒内完成。 表面复合是主要的速率限制因素。 表面钝化使速率提高了20倍之多。光离解速率随着温度的升高而增加，但增幅小于热离解速率。 这些特征与先前提出的重组增强解离机制一致。 对于实际的铁检测，重要的是该方法的检测限接近千万亿分之一。

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