使用载流子寿命方法测量 p 型硅中的铜

我们将 SPV 技术与 µ−PCD 进行比较，以确定 p-Si 中铜沉淀物的复合活性。 通过室温照射，在块状硅中形成铜沉淀物。 我们观察到，用 SPV 测量的铜沉淀物的复合活性高于用 µ−PCD 技术测量的铜沉淀物的复合活性。 然而，铜检测灵敏度似乎与 SPV 和 µ−PCD 技术大致相同。

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