
提出了一种通过测量表面光电压(SPV)作为光穿透深度的函数来确定长少数载流子扩散长度L的程序。 该过程使用显式 SPV 公式,适用于比光穿透深度长的扩散长度。 在高纯度硅上获得的结果证明了非接触式晶圆级测量毫米范围内的 L 值的新能力,超过晶圆厚度的 2.5 倍。 可以通过提高 SPV 信号测量的精度来提高该系数。 该过程没有以前 SPV 方法的基本限制,即扩散长度仅限于晶圆厚度的 70% 左右。
J. Lagowski, A.M. Kontkiewicz, L. Jastrzebski, P. Edelman