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2006 • Proceedings of Conf. on Ion Implant Technology IIT 2006), Marseille, France, CP866, Ion Implantation technology, American Inst. Of Physics, 534-537.
本文介绍了使用结光电电压 (JPV) 方法获得的结果，该方法针对组合注入退火工艺的表征进行了优化。 人们发现该工具特别适合测量超浅结片电阻率和泄漏。 在这项工作中，作者还评估了与以前的设备设计相比，提高空间分辨率的好处。 当前技术的 USJ 监控晶圆是使用 BF2 或砷注入，然后进行尖峰退火制成的，并且研发 USJ 晶圆是通过等离子体浸入，然后进行激光退火制成的。 所有晶圆均使用非接触式 JPV 测量工具进行测量。 JPV 测量获得的结果与破坏性离线分析测量工具相关。
E. Don, A. Pap, T. Pavelka, P. Tüttő, C. Wyon, C. Laviron, R. Oechsner, M. Pfeffer