4H-SiC 外延层微波光电导衰变映射和寿命研究

碳化硅及相关材料国际会议 (ICSCRM) 已成为讨论新研究成果并评估 SiC、氮化镓 (GaN) 和其他相关宽带隙半导体真正“最先进水平”的卓越论坛。

半导体材料科学和技术为当前电子和光学器件技术的卓越性能提供了坚实的基础。

宽带隙半导体，通常是 SiC 被定义为电子带隙大于 2.9 eV 的材料，正在成为能够在未来许多年持续推动器件性能增强的材料。

SiC 的研究已经有几十年了，但最近的发展已经在光学、射频和功率元件领域牢固地建立了商业产品。 该领域的持续研究将确保基于 SiC 的器件技术能够快速发展。

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