联系我们获取详情与报价
获取专家建议，为您研发需求量身定制解决方案
2024 • 2024 IEEE 10th Electronics System-Integration Technology Conference (ESTC), Berlin, Germany, 2024, pp. 1-4
本研究重点关注经过化学机械平坦化 (CMP) 工艺的加工晶圆，特别强调监测以大约 45 μm 光栅图案化的 Cu VIA 结构之间的电介质堆叠厚度。 采用光谱椭偏仪测定一维堆叠多层厚度，同时采用成像光谱反射仪揭示横向厚度轮廓。
A. Suto, P. Basa, Gy. Nadudvari, S. Poppa