监测等离子损伤：实时、非接触式方法

对工艺温度、几何宽容度和杂质控制的必要限制导致 IC 制造中等离子体处理（即“干”工艺）的使用不断增加。 气体放电是等离子体处理的基础，具有独特的物理和化学特性，可实现或促进各向异性蚀刻、电介质沉积和离子注入等工艺。

等离子体技术已变得如此占主导地位，没有它们，大多数当前和未来几代的 IC 器件都无法制造。 然而，随着器件尺寸的缩小，等离子体处理造成的任何损坏变得越来越令人担忧。 观察到的有害影响包括栅极氧化物损坏和电荷积聚引起的蚀刻轮廓变形 [1, 2]； 氧化物和硅的污染，尤其是重金属的污染[3]； 以及等离子体辐射对氧化物、Si-Si[O.sub.2] 界面和底层硅的损害 [4]。

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