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在这项工作中，我们对解耦等离子体氮化 (DPN) HfSiOx 的电晕电荷测量进行了评估和理解。 评估了典型的电晕电荷参数，例如等效氧化物厚度 (EOT)、界面态密度 (Dit) 和饱和表面电压 (Vsat)。 结果表明，尤其是 Dit 和 Vsat 是氮化监测的有希望的参数，因为它们与 DPN 参数具有良好的准确性相关性。 通过使用直接隧道模型，对观察到的 Vsat 行为给出了基本解释。
J-L. Everaert, X. Shi, A. Rothschild, M. Schaekers, E. Rosseel, T. Pavelka, E. Don, S. Vanhaelemeersch
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