宽带隙晶圆制造中高通量、高精度的非接触式掺杂测量

我们提出了一种基于电晕电荷表面电压 CnCV 技术改进的宽带隙半导体非接触掺杂监测新方法。 该方法旨在加速测量并在典型的 12 站点测量模式中实现每小时 20 片晶圆的吞吐量。 这种加速测量（比当前的 CnCV 快 5 倍）的精度为 0.1% 至 0.2%。 提高测量速度的关键因素是深耗尽中电晕电荷偏压的光致控制的发展，这对于宽带隙材料来说是独一无二的。 该方法适用于具有裸露表面的宽带隙半导体。针对外延 4H-SiC 给出了证明新颖掺杂测量的具体结果