联系我们获取详情与报价
获取专家建议，为您研发需求量身定制解决方案
2019 • 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT) proceedings
由于Si是间接带隙材料，声子辅助带间（B2B）辐射复合（能量等于Si的能隙）产生的PL非常弱； 比激发光子通量低约 10 个数量级 [1]。 如果存在晶体缺陷，则在室温下会生成额外的宽缺陷 PL 峰 (DPL)，其能量小于 Si [1]、[2]、[3] 的带隙。 在室温下，缺陷带 PL 强度比 B2B 强度低几个数量级[1]。
L. Jastrzebski, R. Duru, D. Le-Cunff, M. Cannac S. Joblot, I. Mica, M.L.Polignano, A.Galbiati, P. Monge Roffarello,G. Nadudvari, Z. Kiss, I. Lajtos, A. Pongracz, G. Molnár, M. Nagy, L. Dudás, P. Basa, B.Greenwood, J.Gambino