使用表面电荷分析仪 (SCP) 方法，在来自各种 IC 制造工艺的硅片中研究了通过与污染物配对和硼补偿而导致的硼失活。 由于 HF 化学中的贵金属污染而形成的对的解离能与贵金属无关，并且与 B-H 对之一相对应。 这表明金属并不直接导致掺杂变化，而是在 HF 清洗过程中增强了氢对硅的污染。 SC1 清洁（氢氧化铵 - 过氧化物混合物）、RCA 清洁（RCA=SC1+SC2，其中 SC2 是盐酸 - 过氧化物混合物）和等离子体蚀刻期间的氢化作用是通过 B–H 形成使硼失活的原因。 在热氧化过程中引入硅的铜污染通过形成稳定的络合物来补偿初始硼掺杂。
