通过微波吸收光谱 (MAS) 测量 Seo 捕获截面的温度依赖性

使用改进的微波吸收光谱 (MAS) 实验装置 [1]，我们已经能够显着扩展温度范围来测量热发射率和深能级的捕获截面。 该技术的能力已在 n= 型 Si 中的 Se° 水平上得到证明，其中捕获截面的测量温度高达 350 K，而与之前报道的最高温度 250 K 相比 [2]。
将高温数据与描述捕获截面的温度依赖性的理论进行了比较。