使用汞栅 MOS 电容器对 0.25 μm 以下工艺进行阈值电压控制 (VT)

MOSFET 阈值电压 (VT) 是控制 0.25 μm 以下 MOS 器件运行的最重要参数。 速度、断态电流和有功功率等关键器件性能问题取决于 VT (1)。 影响 VT 的主要因素是氧化物厚度 (Wox)、氧化物电荷 (Qox)、界面陷阱电荷 (Qit) 和沟道掺杂剂分布。 尽管基于传统的 CV 方法让许多人相信 CV 不能用于超薄氧化物，但本文描述了使用硬探针和高重复性汞探针测量 VT 及其分量的准确方法。