2020 • 31st Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC)
光调制反射率测量提供了一种强大的、非接触式、非破坏性和内联兼容的方法,具有低成本操作,用于监视器和产品晶圆上离子注入步骤的统计过程控制。 我们提供的案例研究描述了如何使用光调制反射率测量 (PMR) 进行离子注入剂量、注量和倾斜角监测,并具有出色的分辨率,甚至适用于低能量离子注入工艺。 这一点很重要,因为精确的掺杂剂和损伤分布控制对于利用浅结和复杂 3D 掺杂分布的最先进半导体工艺至关重要。
A. Pongrácz, J. Szívós, F. Ujhelyi, Zs. Zolnai, Ö. Sepsi, Á. Kun, Gy. Nádudvari, J. Byrnes, Leonard M. Rubin and Edward D. Moore