联系我们获取详情与报价
获取专家建议，为您研发需求量身定制解决方案
2008 • International Conference on Ion Implantation Technology, 8–13 June 2008, Monterey, California
为了达到<45nm ITRS节点对P+/N结的要求，需要超低能量和高剂量注入。 与等离子体浸没离子注入 (PIII) 相比，经典束线注入现在仅限于低能量，其效率不再需要证明在半导体应用中实现超浅结 (USJ)：由于没有较低的能量限制和高剂量率，该技术允许获得最终的浅剖面（注入时）。
F. Torregrosa, H. Etienne, G. Sempere, G. Mathieu, L. Roux, V. Vervisch, P. Delaporte, T. Sarnet, A. Pap, K. Kis‐Szabó, T. Pavelka, C. Grosjean