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1999 • In-Line Methods and Monitors for Process and Yield Improvement, Santa Clara, Sept. 1999
表面电荷分析仪 (SCP) 已推出用于监控和开发硅外延工艺。 SCP 可测量近表面掺杂浓度，并提供多种优势，从而提高良率。 首先，无损测量技术可以实现在线过程监控，无需牺牲生产晶圆来进行电阻率测量。 此外，全晶圆测绘功能有助于开发改进的外延生长工艺并及早发现反应器问题。 作为示例，我们介绍了使用 SCP 来研究桶式反应器中感受器退化的影响，并研究自动掺杂以改进掺杂剂均匀性。
J.P. Tower, E. Kamieniecki, M.C. Nguyen, A. Danel