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1989 • Materials Science and Engineering, B4
从深能级检测捕获的载流子的热发射仍然被认为是获取半导体中电活性杂质信息的最灵敏方法。 为了增强探测热发射的能力,我们正在开发一种微波检测技术。 本文报告了微波检测系统功能的理论描述和实验验证。 使用 Si:Se0 系统的测量说明了这种测量技术在缺陷研究中的可能性
D. Huber, P. Eichinger, G. Ferenczi, T. Pavelka, G. Veszely
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