通过扩展电阻分布和傅立叶变换红外反射计测量外延硅过渡区

硅外延是互补金属氧化物半导体 (CMOS) 器件制造中的重要组成部分。 准确确定外延层厚度对于独角兽和可重复的过程是必不可少的。 在本文中，我们比较了通过 Semilab 的两种生产兼容的电学和光学表征技术获得的硅外延片中过渡区 (TZ) 的厚度值：傅里叶变换红外 (FTIR) 反射计和扩展电阻分析 (SRP)。 我们证明了通过 FTIR 反射光谱光学建模获得的 TZ 厚度与 SRP 曲线之间存在高度相关性。还研究了 TZ 厚度变化对高温退火步骤的依赖性。 因此，FTIR 反射仪为获取外延层的结构参数提供了一种快速、非接触式的替代方案，并且这些值可以与 SRP 给出的值很好地匹配。