マイクロスポットコロナ-ケルビン法によるSiC中のドーピング測定への新しいアプローチ

本研究では、マイクロスケールの時間分解コロナケルビン法に基づいて、SiC中のドーピング濃度を測定する新しいアプローチを提案します。この方法では、SiC表面のコロナチャージをマイクロサイズのコロナスポット内で行い、ケルビン力マイクロプローブを使用してスポットの中心での表面電位減衰を測定します。電圧減衰は表面拡散による電荷減衰によるもので、プローブの下での電荷スキャンのようなものです。2次元電荷拡散解析を用いて、1) SiCエピタキシャル層のドーピング濃度、2) SiC表面のコロナイオンの拡散係数の2つのパラメータを抽出します。この研究で実証されたマイクロスポットコロナケルビン法は、SiC製造ウェーハのミクロスケールでのドーピング均一性の試験や小面積での測定において重要であることが証明されるはずです。

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