DLS-1100 ディープ・レベル・トランジェント・スペクトロスコピー

• 電気的に活性な欠陥と汚染の識別

• 以下を含むフルレンジのDLTS測定モード
  
  • 温度と周波数のスキャン
  • 深度プロファイリング
  • キャプチャ断面積の決定
  • MOS インターフェース状態密度測定
  • I-VおよびC-Vサンプル品質テスト
  • 温度スイープ中の高導電性サンプル用の電流DLTS (I-DLS) オプション
• オプション:TAS (熱アドミタンス分光法)

• 信号対雑音比が改善された業界トップクラスの感度

• マルチセンサー温度監視による正確な温度制御

• ヨーロッパとアジアの半導体製造施設で広く使用されている信頼性の高いツール

• 測定感度:
  業界で最も高い感度レベルである5×10原子/cm³までの微量汚染物質を検出

• オペレーション:
  • ショットキーとオーミックコンタクトのサンプル調製を必要とする破壊的手法
  • バッチサンプルサポートによる完全自動化 (構成に依存)
  • マクロベースの測定スクリプト
  • 複数のセンサー入力を備えた統合型極低温温度制御（1 Kを超える精度）
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• ユーザーインターフェース:
  
  • 訓練を受けたオペレーターが使いやすいように設計されたグラフィカルUI
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• クライオスタット:
  • 最大6個のプローブ
  • LN2またはクローズサイクルHe、
  • 最も広い温度範囲:30K-80K
  • 選択したクライオスタットの自動温度制御
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• バイアス電圧およびパルス電圧範囲:20 V または ±50 V
• HF 信号:1MHz @ 20mV、100mV、500mV
• サンプルキャパシタンス:<5000pF
• トラップ感度:<1E8/cm3
• クライオスタットの選択：
  
  • バスタイプ LN2 80-450K
  • 自動 LN2 80-800K
  • テーブルトップクローズドサイクル He30-450K
  • 低振動クローズドサイクル He30-450K (800K)
• クライオスタット:
  
  • 最大6個のプローブ
  • LN2またはクローズサイクルHe、
  • 最も広い温度範囲:30K-80K
  • 選択したクライオスタットの自動温度制御

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