WT-2000 ウェハーテスター

• キャリア寿命測定（PCD技術など）：シリコン基板と化合物半導体基板の両方にとって重要な、材料品質と欠陥密度の重要な指標であるマイノリティキャリアの有効寿命の測定。SiC。

• 表面光電圧技術 (SPV) による汚染モニタリング

• 抵抗率マッピング:非接触 (例ウェハ表面全体の抵抗率変化をマッピングするためのエディ（Eddy）法および接触法（4pp）法。

シート抵抗測定 (例JPV): 半導体ウェーハや太陽電池の電気的均一性やドーピングプロファイルの評価に不可欠です。

• 品質管理：生産ライン全体でウェーハと太陽電池の品質を確実かつ正確に監視します。

• マルチメソッド機能：さまざまな材料タイプや特性評価のニーズに合わせて、1つのシステム内でさまざまな測定原理を使用できます。

• µ-PCD、c-PCDなどの複数の異なる測定方法による汚染モニタリング、およびさまざまな材料に合わせたさまざまな波長のレーザーオプションの提供。

• 結晶欠陥検出

•SPVの主な機能は、バルクFe検出と電荷キャリア拡散長測定です

• JPV シート抵抗測定によるインプラントプロセスモニタリング

• バルクおよび薄膜用途向けの接触（4pp）法および非接触（Eddy）法による電気特性評価

• SECS/GEM通信オプションを備えた自動化ソフトウェア

• 高い感度と精度：キャリアの寿命とデバイスの性能に影響する欠陥や汚染の特定に不可欠

• 柔軟な用途：研究室サンプルから工業規模の製造までのウェーハをサポートし、研究環境や生産環境に適している

• 包括的なデータ分析：提供されているすべての計量、分析、レポートを含むマッピング用の統合ソフトウェアにより、迅速なプロセス最適化と品質管理が容易になります

• ウエハーサイズ:最大300mm
• 高解像度マッピング
• 自動化オプション:手動またはオプションの自動化
• FOUP、FOSB、および100〜300 mmウェーハ用のオープンカセットを含む13スロットまたは25スロットのカセットからウェーハのローディングが可能
• 各システムは、以下に説明する測定機能と自動化機能を追加することにより、ユーザーの要件に基づいて構成できます。詳細な技術仕様については、お問い合わせください。
• Semilabでは、特定の用途向けに設計されたWTオプションを提供しています。
  
  • 太陽光発電アプリケーション用WT-2000PVN
  • 狭帯域半導体の特性評価のための温度依存寿命測定用WT-2000MCT
  • WT-2010Dは、最大210x210x500 mmまでのサイズの結晶シリコンブロック用に設計された、WT-2000のすべてのメトロロジーを備えています