Si (111) サンプルへの光散乱トモグラフィーの応用

チョクラルスキー法で作製したシリコン (Si)〈100〉ウェーハのバルク微小欠陥の検出は、ウェーハの品質管理において非常に重要です。光散乱トモグラフィー (LST) は、この目的のための業界標準技術です。この光学式非接触測定法では、破壊的なサンプル前処理が必要です。つまり、サンプルを半分に分解する必要があります。この方法の特徴の1つは、暗視野検出装置です。これは、光検出部 (顕微鏡ユニット) を照明から分離することによって実現されます。試料の前面に照明を当てて、欠陥から散乱した光が割れた表面を通して集められます。この手法では、切断面と前面との垂直性が求められますが、これはSi (100) ウェーハでも同様です。ただし、Si (111) ウェーハの公称切断面は前面に対して垂直ではなく、70.5°の角度があります。この切断の大きな違いにより、Si (111) ウェーハは標準的な LST システムでは測定できません。幸いなことに、標準LSTシステムは、検出部を適切な角度で傾けることで変更でき、Si（111）サンプルの測定が可能になります。この記事では、この新しい手法について詳しく説明し、新しいシステムの設計と測定機能を示します。測定結果は、適切なサンプル調製後に同じサンプルで標準LST測定値を直接比較することで検証されます。