測定技術を組み合わせて薄いSiGe: B層を実現するメリット

この論文では、ホウ素をドープした薄いシリコンゲルマニウム（SiGe）エピタキシャル層の全体的な測定を改善するための技術を組み合わせることの利点を評価するために実施された研究を紹介します。特別に設計された一連のウェーハを、さまざまなインライン計測ツールと特性評価手法で処理し、測定しました。本研究では、層のドーパント濃度とGe組成の測定値を確実に測定するために、測定技術を組み合わせて測定する最善の方法を説明します。この研究は、複合計測法が製造環境とエンジニアリング環境における重要な改善を可能にすることを実証しています。