インラインコロナ電荷計測によるレーザー誘起界面トラップの制御

レーザーアニーリングは、超浅接合部（USJ）の理想的な活性化ステップです。ただし、ゲート誘電体の界面トラップ (Dit) の密度が高くなるため、NBTIの信頼性が低下する可能性があります。そのため、アニーリング条件の影響をコロナ電荷測定法で調べています。SiO2を基準ゲート誘電体として使用し、その回収ソリューションを用いてレーザー誘起Ditを低減します。しかし一方で、回収によってUSJが劣化する可能性があり、回収のためのプロセス条件の選択が制限されてしまいます。スパイクアニールによるDitの減少は、SiO2とSiOの場合の応力緩和で説明できます。HiKゲート誘電体の場合、化学的相互作用や結晶化が起こる可能性があるため、挙動はより複雑になります。回収はスパイクアニールとマルチスキャンレーザーアニーリングで行うことができます。USJの特性には後者の方が適しています。

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