SiNx膜および太陽電池における移動イオンのドリフト特性

の低温（30〜200°C）ドリフト特性 モバイルイオン に PECVD SiN_x 膜と太陽電池は、非接触イオンドリフトを使用して初めて測定されました 分光法 から採用された手法 ケイ素 集積回路 (IC) 計測。結果は Na のドリフトを示しています。⁺ イオンイン PECVD SiN_x 50°Cという低い温度で始まる皮膜。これはSiNと比較して一見対照的な挙動です_x マイクロエレクトロニクスで使用されるフィルムで、優れた保護効果を発揮します 拡散バリア。本研究はSiNを対象に実施されました。_x Na、K、Cuで意図的に汚染されたフィルムと最終太陽電池。非接触イオンドリフト中 分光法 全域の電界 誘電 に預けられた電荷によって生み出されます 誘電 Aのあるサーフェス コロナ放電 空中。温度応力は、制御された速度で温度を時間とともに上昇させることによって加えられます。イオンドリフトは、振動するケルビンプローブで監視される誘電体電圧を低下させます。電圧対時間、電圧対温度、および対応する微分特性を使用してドリフト速度を定量化します。 イオン濃度 とドリフト 活性化エネルギー。後者は特徴的なイオンピークを生成します 微分スペクトルdB 対温度。モバイルイオンマッピング用の計測バージョンは、さまざまなイオンのドリフトに対応する特定の温度でのウェーハ全体のコロナバイアス温度応力に基づいています。このマッピングは、Naなどのイオン源を同定するための強力な手段です。 セルカプセル化 グラス。これは、電位誘起分解（PID）効果におけるNaの役割をさらに明らかにするのに有利であることが証明されるだろう。すなわち 分極効果 および電位誘起シャント（PIS）。