並列双極子線ホール効果システムによるCdTe、CdSeTe、CdSeTeおよびCdSe薄膜の電気特性の抽出

高感度平行双極子線（PDL）ホール効果システムを使用して、堆積時のCdSe、堆積時およびCdCl2処理後のCd'Te、およびCdCl2処理されたCdSete/CdTe膜の電気的特性を調べました。PDLホールには、信号対雑音比 (S/N) を高めたACおよび従来のDC磁場モードがあり、測定の信頼性と精度が向上しています。PDL ホール効果測定の測定プロセスで使用される手順が詳しく説明されています。ホール測定値から、フィルムのキャリア濃度、移動度、抵抗率、シート抵抗、多数電荷キャリアタイプ (pまたはn) を抽出できます。ショットキータイプの挙動は、CdTe薄膜のI-Vスキャン中の抵抗率測定から観察されています。この非オーム現象を解消するには、金などの試料接点に適した材料を使用します。これにより、信号が改善され、信頼できる結果を抽出できるようになります。